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Notizie dell'azienda SK Hynix utilizzerà un nuovo fotoresistente nella produzione di 1c DRAM

SK Hynix utilizzerà un nuovo fotoresistente nella produzione di 1c DRAM

2024-12-30

Man mano che la miniaturizzazione della DRAM continua a progredire, aziende come SK Hynix e Samsung Electronics si stanno concentrando sullo sviluppo e l'applicazione di nuovi materiali.
Secondo TheElec, SK Hynix prevede di utilizzare il fotoresistente per ossidi metallici (MOR) di prossima generazione di Inpria nella produzione di DRAM di sesta generazione (processo 1c, circa 10 nm),che è la prima volta che il MOR è stato applicato al processo di produzione di massa della DRAM.

La DRAM 1c prodotta in serie da SK Hynix ha cinque strati ultravioletti estremi (EUV), uno dei quali sarà disegnato utilizzando MOR, hanno detto le fonti."Non solo SK Hynix, ma anche Samsung Electronics cercheranno materiali di pubbliche relazioni inorganici, ha aggiunto.

Inpria è una filiale della società chimica giapponese JSR e leader nel campo della fotoresistenza inorganica.MOR è considerato la prossima generazione di fotoresistenti amplificati chimicamente (CAR) attualmente utilizzati nella litografia avanzata su chip.

Inoltre, la società ha lavorato con SK Hynix sulla ricerca MOR dal 2022.SK Hynix ha precedentemente affermato che l'uso di fotoresistente Sn (base) ossido contribuirà a migliorare le prestazioni della DRAM di prossima generazione e ridurre i costi.

Il rapporto TheElec ha inoltre rilevato che Samsung Electronics sta anche valutando l'applicazione di MOR a 1c DRAM e attualmente Samsung Electronics applica da sei a sette strati EUV a 1c DRAM,mentre Micron applica solo uno strato.

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